 |
| XGP6510B |
XGP6510B высоковольтный кремниевый P-канальный полевой транзистор, разработанный специально с такими характеристиками, как быстрое время переключения, низкая ёмкость затвора, низкое сопротивление во включенном состоянии. Предназначен мощный полевой МОП-транзистор XGP6510B для использования в высокоскоростных коммутационных системах, в источниках питания, для ШИМ управления двигателями, высокоэффективных преобразователей постоянного тока и других схемах широкого назначения.
Основные параметры транзистора XGP6510B
- Напряжение сток-исток: 650 Вольт
- Ток сток-исток при 25°C: 19 Ампер
- Импульсный максимальный ток: 110 Ампер
- Напряжение затвор-исток: ±20 Вольт
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 140 мОм
- Входная ёмкость: 1450 пФ
- Задержка включения: 30 нС
- Задержка выключения: 50 нС
- Рассеиваемая мощность: 100 Ватт
- Пороговое напряжение на затворе: 1,6 Вольт
- Максимальный прямой ток внутреннего диода: 19 Ампер
- Импульсный ток внутреннего диода: 110 Ампер
Аналоги транзистора XGP6510B: XGP6510B.