коммерческих и промышленных применений при рассеивании мощности до 125 ватт. Транзистор предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других силовых блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.
Основные параметры транзистора IRF840
- Напряжение сток-исток: 500 Вольт
- Ток сток-исток при 25°C: 8 Ампер
- Импульсный максимальный ток: 32 Ампер
- Напряжение затвор-исток: ±20 Вольт
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,85 Ом
- Входная ёмкость: 1300 пФ
- Задержка включения: 14 нС
- Задержка выключения: 49 нС
- Рассеиваемая мощность: 125 Ватт
- Крутизна характеристики : 4,9 S
- Пороговое напряжение на затворе: 2-4 Вольт
- Максимальный прямой ток внутреннего диода: 8 Ампер
- Импульсный ток внутреннего диода: 32 Ампер
- Время восстановления внутреннего диода: 460 нС
- Корпус: TO-220AB
 |
| Габариты |
Аналоги транзистора IRF840: 2SK2542, 2SK554, 2SK555, BUZ41, IRF841, SPP04N60C3, КП777А, 2SK894, MTP8N50E, ST8NA50, STP9NB50, 2SK1864, STB9NK50ZT4.