60N06 описание на русском, аналоги, параметры, цоколевка

Силовой МОП-транзистор третьего поколения 60N06 от производителя On Semiconductor обеспечивает лучшие сочетания быстрого переключения, прочный дизайн транзистора, низкий уровень сопротивления. Корпус TO-247 предпочтителен для коммерческого и промышленного использования, где использование приборов в корпусе ТО-220 не желательно или невозможно. в корпусе TO-247 изолированное крепежное отверстие. Транзистор предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других силовых блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в изолированном пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

Основные параметры транзистора 60N06

  • Напряжение сток-исток: 60 Вольт
  • Ток сток-исток при 25°C: 60 Ампер
  • Импульсный максимальный ток: 180 Ампер
  • Напряжение затвор-исток: ±20 Вольт
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,014 Ом
  • Входная ёмкость: 2300 пФ
  • Задержка включения: 25.5 нС
  • Задержка выключения: 94.5 нС
  • Рассеиваемая мощность: 150 Ватт
  • Пороговое напряжение на затворе: 2-4 Вольт
  • Максимальный прямой ток внутреннего диода: 60 Ампер
  • Импульсный ток внутреннего диода: 180 Ампер
  • Время восстановления внутреннего диода: 64 нС
  • Корпус: TO-220

Аналоги транзистора 60N06: NTB60N06T4G, NVB60N06T4G, IRF3205.

Поделиться в соцсетях