 |
| 5N60 |
5N60 высоковольтный кремниевый N-канальный полевой транзистор производства Inchange Semiconductor, разработанный специально с такими характеристиками, как быстрое время переключения, низкая ёмкость затвора, низкое сопротивление во включенном состоянии. Предназначен мощный полевой МОП-транзистор 5N60 для использования в высокоскоростных коммутационных системах, в источниках питания, для ШИМ управления различными устройствами, высокоэффективных преобразователей постоянного тока и других схемах широкого назначения.
Основные параметры транзистора 5N60
- Напряжение сток-исток: 600 Вольт
- Ток сток-исток при 25°C: 5,6 Ампер
- Импульсный максимальный ток: 20 Ампер
- Напряжение затвор-исток: ±30 Вольт
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 1,5 Ом
- Задержка включения: 15,8 нС
- Задержка выключения: 46 нС
- Рассеиваемая мощность: 100 Ватт
- Пороговое напряжение на затворе: 2-4 Вольт
- Максимальный прямой ток внутреннего диода: 5,6 Ампер
- Импульсный ток внутреннего диода: 20 Ампер
- Падение напряжения на диоде: 1,5 Вольт
Аналоги транзистора 5N60: 1MB15D-060, GT30J322, IRG4BC30KD, HGT1S12N60C3DS, STW16NK60Z, HGT1S12N60C3S, IRKL72/06.